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WPM2006

Power MOSFET and Schottky Diode

文件:920.76 Kbytes 页数:8 Pages

WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd.

韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司

WPM2006

MOSFET/场效应管

Yenji

台湾元基

WPM2006

场效应晶体管

OmniVision

豪威集团

WPM2006-6/TR

丝印:JYWW;Package:DFN2x2-6L;Power MOSFET and Schottky Diode

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WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd.

韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司

WPM2006-6SLASHTR

丝印:JYWW;Package:DFN2x2-6L;Power MOSFET and Schottky Diode

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WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd.

韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司

技术参数

  • Package:

    DFN2x2-6L

  • Size(W×L×H)(mm)(Max.):

    2.076*2.076*0.8

  • Configuration:

    P+Diode

  • VDS(V) (Max.):

    -20

  • VGS(V) (Max.):

    8

  • VGS(th)(V)(Typ.):

    -0.60

  • RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)(Typ.):

    90.0

  • RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)(Max.):

    120.0

  • RDS(ON)@VGS=2.5V(mΩ)(Typ.):

    110.0

  • RDS(ON)@VGS=2.5V(mΩ)(Max.):

    150.0

  • ID@TA = 25°C(A) (Max.):

    -3.00

  • RJA(℃/W)(Max):

    86.0

  • PD@TA= 25℃(W) (Max):

    1.45

  • Ciss(pF) (Typ):

    480.00

  • Coss(pF) (Typ):

    46.00

  • Crss(pF) (Typ):

    10.00

  • Qg(TOT)(nC)(Typ.):

    7.20

  • Qgd(nC)(Typ):

    1.20

  • Td(on)(ns)(Typ):

    38.00

  • Td(off)(ns)(Typ):

    43.00

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