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UG2006

2.0A GLASS PASSIVATED ULTRAFAST DIODE

ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd

淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司

UGF2006G

IsolatedUltraFastRectifiers

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台湾半导体台湾半导体股份有限公司

UPG2006TB

NECs1.8VL,S-BANDSPDTSWITCH

DESCRIPTION TheµPG2006TBisanL,S-bandSPDT(SinglePoleDoubleThrow)GaAsFETswitchwhichwasdevelopedfordigitalcellularorcordlesstelephoneapplication.Thedevicecanoperatefrom500MHzto2.5GHz,havingthelowinsertionlossandhighisolationby1.8Vcontrolvoltage. FEATURE

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

UPG2006TB

GaAsINTEGRATEDCIRCUIT

FEATURES •Lowinsertionloss:LINS=0.3dBTYP.@Vcont=1.8V/0V,f=1GHz LINS=0.45dBTYP.@Vcont=1.8V/0V,f=2.5GHz •Highisolation:ISL=29dBTYP.@Vcont=1.8V/0V,f=2GHz ISL=25dBTYP.@Vcont=1.8V/0V,f=2.5GHz •6-pinsuperminimoldpackage(2.0´1.2

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

V2006B

ASS0848HS

ASSMANN

ASSMANN WSW COMPONENTS

VP2006A

10/100BASE-TXVOICEOVERIPMAGNETICS

BOTHHAND

Bothhand USA

VP2006AM

10/100BASE-TXVOICEOVERIPMAGNETICS

BOTHHAND

Bothhand USA

VP2006B

10/100BASE-TXVOICEOVERIPMAGNETICS

BOTHHAND

Bothhand USA

VP2006Z

10/100BASE-TXVOICEOVERIPMAGNETICS

BOTHHAND

Bothhand USA

VS2006A

10/100BASE-TXVOICEOVERIPMAGNETICS

BOTHHAND

Bothhand USA

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更多UG2006供应商 更新时间2025-7-23 11:06:00