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2N7002	文件：382.64 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateMosfets N-ChannelMOSFET FEATURES HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) Voltagecontrolledsmallsignalswitch. Ruggedandreliable. Highsaturationcurrentcapability.	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
2N7002	文件：486.19 Kbytes Page：2 Pages	MOSFET(N-Channel) FEATURES ●HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) ●Voltagecontrolledsmallsignalswitch ●Ruggedandreliable ●Highsaturationcurrentcapability	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2N7002	文件：330.75 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelAdvancedPowerMOSFET	RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 锐骏半导体深圳锐骏半导体股份有限公司	RUICHIPS
2N7002	文件：91.32 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •LowOn-Resistance:RDS(ON) •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage MechanicalData •Case:SOT-23,MoldedPlastic •Terminals:SolderableperMIL-STD-202,Method208 •TerminalConnections:SeeDiagram •Marking:K	YIXINShenzhen Yixinwei Technology Co., Ltd. 壹芯微深圳市壹芯微科技有限公司	YIXIN
2N7002	文件：2.80796 Mbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODEMOSFETS VOLTAGE60VoltsCURRENT0.115Ampers FEATURES SOT-23FieldEffectTransistors	NIUHANG Dongguan City Niuhang Electronics Co.LTD	NIUHANG
2N7002	文件：825.43 Kbytes Page：2 Pages	Mosfet(N-Channel) Features ◇HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) ◇Voltagecontrolledsmallsignalswitch ◇Ruggedandreliable ◇Highsaturationcurrentcapability	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
2N7002	文件：227.98 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	SHENZHENSLSSHENZHEN SLS TECHNOLOGY CO.,LTD. 赛尔斯深圳市赛尔斯科技有限公司	SHENZHENSLS
2N7002	文件：620.66 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalMOSFETBareDie	SS Silicon Supplies	SS
2N7002	文件：444.49 Kbytes Page：14 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET GeneralDescription TheSupertex2N7002isanenhancement-mode(normallyoff)transistorthatutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistors,andthehi	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
2N7002	文件：96.34 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelSMDMOSFET	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
2N7002	文件：153.75 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Feature ●60V/0.5A,RDS(ON)=7500mΩ(MAX)@VGS=10V.Id=0.5A RDS(ON)=7500mΩ(MAX)@VGS=4.5V.Id=0.2A ●SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●ReliableandRugged. ●SOT-23forSurfaceMountPackage. Applications ●PowerManagementinDesktopC	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
2N7002	文件：64.519 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES ●LowOn-Resistance:2.5Ω ●LowThreshold:2.1V ●LowInputCapacitance:22pF ●FastSwitchingSpeed:7ns ●LowInputandOutputLeakage BENEFITS ●LowOffsetVoltage ●Low-VoltageOperation ●EasilyDrivenWithoutBuffer ●High-SpeedCircuits ●LowErrorVoltage APPLICATI	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
2N7002	文件：433.46 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementMOSFET Features ●HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) ●Voltagecontrolledsmallsignalswitch ●Ruggedandreliable ●Highsaturationcurrentcapability	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
2N7002	文件：2.50871 Mbytes Page：5 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFET N-ChannelMOSFET Features ●MOSFET(N-Channel) ●HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) ●Voltagecontrolledsmallsignalswitch ●Ruggedandreliable ●Highsaturationcurrentcapability Applications ●LoadSwitchforPortableDevices ●DC/DCConverter	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI
2N7002	文件：743.65 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) Voltagecontrolledsmallsignalswitch Ruggedandreliable Highsaturationcurrentcapability	UMWUMW 友台友台半导体	UMW
2N7002_	文件：237.13 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
2N7002_NL	文件：116.2 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N7002A	文件：603.85 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary ●VDS60V ●ID340mA ●RDS(ON)(atVGS=10V)	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
2N7002A	文件：154.02 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR DescriptionandApplications ThisMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-state resistance(RDS(ON))yetmaintainsuperiorswitchingperformance, makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. •MotorControl •PowerManagementFunctions FeaturesandBenefits •N-Cha	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
2N7002A	文件：819.8 Kbytes Page：4 Pages	NCHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC

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详细参数

型号：
TSM2N7002KD
功能描述：
MOSFET Dual 60V 0.2Amp N channel MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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