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TSM2N7002KDCU6	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V, 0.22A, Dual N-Channel Power MOSFET	TSC 台湾半导体	TSC
TSM2N7002KDCU6RF	文件：256.72 Kbytes Page：6 Pages	60V N-Channel MOSFET Features ● Low On-Resistance ● ESD Protection ● High Speed Switching ● Low Voltage Drive 文件：256.72 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TQM2N7002KDCU6	文件：446.66 Kbytes Page：7 Pages	Small Signal Dual N-Channel MOSFET FEATURES AEC-Q101 Qualified Advanced trench cell design ESD protected G-S 2kV (HBM) RoHS Compliant Halogen-free APPLICATIONS Switching circuits High-speed line driver Low-side loadswitch Relay driver 文件：446.66 Kbytes 页数：7 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSOP1138	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP-3	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司上传：深圳市神舟芯电子科技有限公司	Vishay
TSOP1838RF3V	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP-3	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司上传：深圳市神舟芯电子科技有限公司	Vishay

技术参数

Type：
N-Channel
Technology：
Trench
Configuration：
Dual
Status：
NRND
Replacement：
TSM2N7002AKDCU6
AEC-Q：
No
VDS (V)：
60
VGS ±(V)：
20
ID Max. (A)：
0.22
TJ Max. (°C)：
150
RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ)：
2500
RDS(ON) @ 10V Typ. (mΩ)：
1500
RDS(ON) @ 4.5V Max. (mΩ)：
3000
RDS(ON) @ 4.5V Typ. (mΩ)：
1600
Qg (nC) @ 4.5V：
0.91
Qgd (nC)：
0.32
Qgs (nC)：
0.33
Ciss (pF)：
30
Coss (pF)：
15
Crss (pF)：
6
MSL：
1
VGS(th) Max. (V)：
2.5
VGS(th) Min. (V)：
1
VGS(th) Typ. (V)：
1.4

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