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TSM1N80SCTA3	文件：303.86 Kbytes Page：9 Pages	800V N-Channel MOSFET General Description The TSM1N80 is used an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degrading performance over time. In addition, this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanche and commutation modes. The new energy efficient desig 文件：303.86 Kbytes 页数：9 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSOP1138	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP-3	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司上传：深圳市神舟芯电子科技有限公司	VISHAY
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更多TSM1N80SCTA3供应商更新时间2026-2-7 14:02:00