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TSM21	文件：292.73 Kbytes Page：1 Pages	ULTRA MINIATURE SMD HCMOS OSCILLATOR (2.0 x 1.6 x 0.9mm) FEATURES: • WIDE FREQUENCY RANGE • LOW VOLTAGE / LOW CURRENT • AEC-Q200 QUALIFIED OPTION 文件：292.73 Kbytes 页数：1 Pages	Transko	Transko
TSM210N06	文件：68.4 Kbytes Page：4 Pages	60V N-Channel Power MOSFET Features ● Advanced Trench Technology ● Low RDS(ON) 3.1mΩ (Max.) ● Low gate charge typical @ 160nC (Typ.) ● Low Crss typical @ 300pF (Typ.) 文件：68.4 Kbytes 页数：4 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM210N06CZ	文件：68.4 Kbytes Page：4 Pages	60V N-Channel Power MOSFET Features ● Advanced Trench Technology ● Low RDS(ON) 3.1mΩ (Max.) ● Low gate charge typical @ 160nC (Typ.) ● Low Crss typical @ 300pF (Typ.) 文件：68.4 Kbytes 页数：4 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM210N02CX	文件：447.9 Kbytes Page：5 Pages	20V N-Channel Power MOSFET 文件：447.9 Kbytes 页数：5 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM210N02CXRFG	文件：447.9 Kbytes Page：5 Pages	20V N-Channel Power MOSFET 文件：447.9 Kbytes 页数：5 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM210N02CX	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V, 6.7A, Single N-Channel Power MOSFET	TSC 台湾半导体	TSC
TSM210N06CZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V, 210A, Single N-Channel Power MOSFET	TSC 台湾半导体	TSC

技术参数

Type：
N-Channel
Technology：
Trench
Configuration：
Single
Status：
Active
AEC-Q：
No
VDS (V)：
20
VGS ±(V)：
10
ID Max. (A)：
6.7
TJ Max. (°C)：
150
RDS(ON) @ 4.5V Max. (mΩ)：
21
RDS(ON) @ 4.5V Typ. (mΩ)：
19
RDS(ON) @ 2.5V Max. (mΩ)：
25
RDS(ON) @ 2.5V Typ. (mΩ)：
22
RDS(ON) @ 1.8V Max. (mΩ)：
32
RDS(ON) @ 1.8V Typ. (mΩ)：
26
Qg (nC) @ 4.5V：
5.8
Qgd (nC)：
2
Qgs (nC)：
0.6
Ciss (pF)：
600
Coss (pF)：
70
Crss (pF)：
45
MSL：
1
VGS(th) Max. (V)：
0.8
VGS(th) Min. (V)：
0.3
VGS(th) Typ. (V)：
0.6

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