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TSM1N80SCTB0

800V N-Channel MOSFET

General Description The TSM1N80 is used an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degrading performance over time. In addition, this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanche and commutation modes. The new energy efficient desig

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TSC

台湾半导体

TSOP1138

VISHAY
DIP-3

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TSOP1838RF3V

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更多TSM1N80SCTB0供应商 更新时间2025-10-5 14:02:00