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TSM1NB60S	文件：135.09 Kbytes Page：6 Pages	600V N-Channel Power MOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM1NB60SCT	文件：432.65 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
S1NB60	文件：342.07 Kbytes Page：2 Pages	1AMPMINIATUREBRIDGERECTIFIERS 1.GlassPassivatedforhighreliability/temperatureperforman 2.RVRatingsfrom50to1000Volts 3.Surgeoverloadratingto30Ampspeak 4.Reliablelowcostmoldedplasticconstruction 5.Idealforprintedcircuitboardapplications	DEC DIOTEC Electronics Corporation	DEC
S1NB60	文件：160.69 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeRectifiers(600V1A) Feature •Small-SMD or •Small-DIP	SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd 日本新电元工业株式会社	SHINDENGEN
STD1NB60	文件：66.79 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL600V-7.4ohm-1A-IPAK/DPAKPowerMESHMOSFET DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)pera	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD1NB60	文件：1.08804 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
T1NB60	文件：277.33 Kbytes Page：2 Pages	BridgeRectifier	SIPOWER SiPower Inc.	SIPOWER
T1NB60	文件：360.04 Kbytes Page：2 Pages	BridgeRectifier	SIPOWER SiPower Inc.	SIPOWER
TSM1NB60	文件：273.53 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM1NB60	文件：196.83 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC

详细参数

型号：
TSM1NB60S
功能描述：
MOSFET 600V 0.5A N Channel Mosfet
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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