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TSM1NB60

600V N-Channel Power MOSFET

文件:196.83 Kbytes 页数:8 Pages

TSC

台湾半导体

TSM1NB60

N-Channel Power MOSFET

文件:273.53 Kbytes 页数:7 Pages

TSC

台湾半导体

TSM1NB60

600V N-Channel Power MOSFET

TSC

台湾半导体

TSM1NB60_15

N-Channel Power MOSFET

文件:273.53 Kbytes 页数:7 Pages

TSC

台湾半导体

TSM1NB60CHC5G

N-Channel Power MOSFET

文件:273.53 Kbytes 页数:7 Pages

TSC

台湾半导体

TSM1NB60CP

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.39517 Mbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

TSM1NB60CPROG

N-Channel Power MOSFET

文件:273.53 Kbytes 页数:7 Pages

TSC

台湾半导体

TSM1NB60CWRPG

N-Channel Power MOSFET

文件:273.53 Kbytes 页数:7 Pages

TSC

台湾半导体

TSM1NB60S

600V N-Channel Power MOSFET

文件:135.09 Kbytes 页数:6 Pages

TSC

台湾半导体

TSM1NB60SCT

N-Channel Power MOSFET

文件:432.65 Kbytes 页数:7 Pages

TSC

台湾半导体

技术参数

  • Type:

    N-Channel

  • Technology:

    Planar

  • Configuration:

    Single

  • Status:

    Active

  • AEC-Q:

    No

  • VDS (V):

    600

  • VGS ±(V):

    30

  • ID Max. (A):

    1

  • TJ Max. (°C):

    150

  • RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ):

    10000

  • RDS(ON) @ 10V Typ. (mΩ):

    8000

  • Qg (nC) @ 10V:

    6.1

  • Qgd (nC):

    3.3

  • Qgs (nC):

    1.4

  • Ciss (pF):

    138

  • Coss (pF):

    17.1

  • Crss (pF):

    4.2

  • MSL:

    NA

  • VGS(th) Max. (V):

    4.5

  • VGS(th) Min. (V):

    2.5

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TSC
23+
SOT-223
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台半
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TO-223
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TSC/台半
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SOT-223
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TSC
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SOT-223
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全新原装正品现货,支持订货
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TSC/台湾半导体
23+
SOT-223
50000
全新原装正品现货,支持订货
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TSC America Inc.
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TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC
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TSC
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SOT-223
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TSC/台湾半导体
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TO-251
100000
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TSC/台湾半导体
2023+
TO-92
6893
专注全新正品,优势现货供应
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更多TSM1NB60供应商 更新时间2025-10-6 8:04:00