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TSM1NB60	文件：196.83 Kbytes Page：8 Pages	600V N-Channel Power MOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM1NB60	文件：273.53 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM1NB60_15	文件：273.53 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM1NB60CHC5G	文件：273.53 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM1NB60CP	文件：1.39517 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
TSM1NB60CPROG	文件：273.53 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM1NB60CWRPG	文件：273.53 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM1NB60S	文件：135.09 Kbytes Page：6 Pages	600V N-Channel Power MOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM1NB60SCT	文件：432.65 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
S1NB60	文件：342.07 Kbytes Page：2 Pages	1AMPMINIATUREBRIDGERECTIFIERS 1.GlassPassivatedforhighreliability/temperatureperforman 2.RVRatingsfrom50to1000Volts 3.Surgeoverloadratingto30Ampspeak 4.Reliablelowcostmoldedplasticconstruction 5.Idealforprintedcircuitboardapplications	DEC DIOTEC Electronics Corporation	DEC

详细参数

型号：
TSM1NB60
功能描述：
MOSFET 600V 1A N Channel Mosfet
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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