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TRS6A65C	文件：154.59 Kbytes Page：5 Pages	SiC Schottky Barrier Diode 文件：154.59 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TRS6A65F	文件：277.13 Kbytes Page：6 Pages	SiC Schottky Barrier Diode 文件：277.13 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
ITK6A65W	文件：288.88 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：288.88 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
K6A65D	文件：218.39 Kbytes Page：6 Pages	Switching Regulator Applications Switching Regulator Applications • Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.95 Ω (typ.) • High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪ =4.0 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 650 V) • Enhancement-mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 文件：218.39 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK6A65D	文件：218.39 Kbytes Page：6 Pages	Switching Regulator Applications Switching Regulator Applications • Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.95 Ω (typ.) • High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪ =4.0 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 650 V) • Enhancement-mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 文件：218.39 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

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更多TRS6A65C供应商更新时间2026-1-23 10:59:00