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TRS6E65F	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC Schottky barrier diode Application Scope：Power factor correction / Solar inverters / Uninterruptible power supplies / DC-DC converters\nFeature：Chip design of 2nd generation.\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：中国 Forward DC current IF(DC) 6 A \nRepetitive Peak Reverse Voltage VRRM 650 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
TRS6E65F	文件：291.82 Kbytes Page：6 Pages	丝印：S6E65F；Package：TO-220-2L；SiC Schottky Barrier Diode 文件：291.82 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TRS6E65F,S1Q	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-2；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DODE SCHOTTKY 650V TO220	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
TRS6E65H	文件：390.18 Kbytes Page：2 Pages	SiC Schottky Barrier Diode FEATURES · Low Forward Voltage · Low Reverse Current · Positive Temperature Coefficient APPLICATIONS · Solar Inverter · Power Factor Correction · DC-DC Converters · Uninterruptible Power Supplies 文件：390.18 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TRS6E65H	文件：427.04 Kbytes Page：7 Pages	SiC Schottky Barrier Diode Applications • Power Factor Correction • Solar Inverters • Uninterruptible Power Supplies • DC-DC Converters Features (1) Chip design of 3rd generation (2) Low forward voltage : VF = 1.2 V (typ.) (3) Low total capacitive charge: Qc = 17 nC (typ.) (4) Low reverse current: IR = 1.1 μA (typ. 文件：427.04 Kbytes 页数：7 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

技术参数

Life-cycle：
新产品
Product Category：
SiC Schottky barrier diode
IF(DC) (Max)(A)：
6
VRRM (Max)(V)：
650
VFM (Max)(V)：
1.6
IRRM (Max)(µA)：
30
Number of pins：
2
Number of Circuits：
1
Internal Connection：
Single
Surface mount package：
N
Package name(Toshiba)：
TO-220-2L

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更多TRS6E65F供应商更新时间2025-11-28 16:49:00

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