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TRS8E65F	文件：285.86 Kbytes Page：6 Pages	Marking：S8E65F；Package：TO-220-2L；SiC Schottky Barrier Diode	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TRS8E65F,S1Q	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-2；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DODE SCHOTTKY 650V TO220	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
TRS8E65C	文件：157.68 Kbytes Page：5 Pages	SiCSchottkyBarrierDiode	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TRS8E65H	文件：467.38 Kbytes Page：7 Pages	SiCSchottkyBarrierDiode Applications •PowerFactorCorrection •SolarInverters •UninterruptiblePowerSupplies •DC-DCConverters Features (1)Chipdesignof3rdgeneration (2)Lowforwardvoltage:VF=1.2V(typ.) (3)Lowtotalcapacitivecharge:Qc=22nC(typ.) (4)Lowreversecurrent:IR=1.5μA(typ.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

更多TRS8E65F供应商更新时间2025-7-16 16:19:00