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TRS8E65F中文资料SiC Schottky barrier diode数据手册Toshiba规格书

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厂商型号

TRS8E65F

参数属性

TRS8E65F 封装/外壳为TO-220-2;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DODE SCHOTTKY 650V TO220

功能描述

SiC Schottky barrier diode

封装外壳

TO-220-2

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-11-27 18:43:00

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TRS8E65F规格书详情

描述 Description

Application Scope:Power factor correction / Solar inverters / Uninterruptible power supplies / DC-DC converters
Feature:Chip design of 2nd generation.
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:中国

特性 Features

Forward DC current IF(DC) 8 A
Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM 650 V

技术参数

  • 制造商编号

    :TRS8E65F

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Life-cycle

    :新产品

  • Product Category

    :SiC Schottky barrier diode

  • IF(DC) (Max)(A)

    :8

  • VRRM (Max)(V)

    :650

  • VFM (Max)(V)

    :1.6

  • IRRM (Max)(µA)

    :40

  • Number of pins

    :2

  • Number of Circuits

    :1

  • Internal Connection

    :Single

  • Surface mount package

    :N

  • Package name(Toshiba)

    :TO-220-2L

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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