TRS8E65C中文资料SiC Schottky barrier diode数据手册Toshiba规格书

厂商型号 |
TRS8E65C |
参数属性 | TRS8E65C 封装/外壳为TO-220-2;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L |
功能描述 | SiC Schottky barrier diode |
封装外壳 | TO-220-2 |
制造商 | Toshiba Toshiba Semiconductor |
中文名称 | 东芝 株式会社东芝 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-28 22:59:00 |
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TRS8E65C规格书详情
描述 Description
Application Scope:Power factor correction / Solar inverters / Uninterruptible power supplies / DC-DC converters
Number of Circuits:1
Internal Connection:Single
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:中国
特性 Features
Forward DC current IF(DC) 8 A
Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM 650 V
技术参数
- 产品编号:
TRS8E65C,S1Q
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 二极管类型:
碳化硅肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io):
8A
- 速度:
无恢复时间 > 500mA(Io)
- 不同 Vr、F 时电容:
44pF @ 650V,1MHz
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-2
- 供应商器件封装:
TO-220-2L
- 工作温度 - 结:
175°C(最大)
- 描述:
DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
3300 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
XTW |
24+ |
QFN |
30357 |
绝对原厂支持只做自己现货优势 |
询价 | ||
TOSHIBA |
13+ |
TO-220 TO-220F |
54 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
20+ |
TO-220 |
19570 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
2450+ |
TO-220 |
8850 |
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询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
TO-220 |
8678 |
原厂原装 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
25+ |
TO-220 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
TOSHIBA原装 |
25+23+ |
TO-220 |
22778 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
Toshiba |
23+ |
TO-247 |
3268 |
东芝全系列原厂正品现货 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
21+ |
TO-220-2L |
1062 |
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询价 |