首页>TRS8E65H>规格书详情

TRS8E65H中文资料东芝数据手册PDF规格书

PDF无图
厂商型号

TRS8E65H

功能描述

SiC Schottky Barrier Diode

丝印标识

S8E65H

封装外壳

TO-220-2L

文件大小

467.38 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

TOSHIBA

中文名称

东芝

网址

网址

数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2025-11-27 9:50:00

人工找货

TRS8E65H价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

TRS8E65H规格书详情

Applications

• Power Factor Correction

• Solar Inverters

• Uninterruptible Power Supplies

• DC-DC Converters

特性 Features

(1) Chip design of 3rd generation

(2) Low forward voltage : VF = 1.2 V (typ.)

(3) Low total capacitive charge: Qc = 22 nC (typ.)

(4) Low reverse current: IR = 1.5 μA (typ.)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TE Connectivity
2022+
1
全新原装 货期两周
询价
TE/泰科
23+
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
询价
Toshiba
23+
TO-247
3268
东芝全系列原厂正品现货
询价
FERRAZ/罗兰熔断器
23+
标准封装
5000
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保
询价
TE/泰科
2508+
/
295898
一级代理,原装现货
询价