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TRS8A65F	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC Schottky barrier diode Application Scope：Power factor correction / Solar inverters / Uninterruptible power supplies / DC-DC converters\nFeature：Chip design of 2nd generation.\nNumber of Circuits：1\nInternal Connection：Single\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：Korea	Toshiba 东芝	Toshiba
TRS8A65F	文件：271.55 Kbytes Page：6 Pages	丝印：TRS8A65F；Package：TO-220F-2L；SiC Schottky Barrier Diode 文件：271.55 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TRS8A65F,S1Q	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-2 整包；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：PB-F DIODE TO-220-2L V=650 IF=8A	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
ITK8A65W	文件：289.2 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：289.2 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
K8A65D	文件：1.10623 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件：1.10623 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
TK8A65D	文件：218.06 Kbytes Page：6 Pages	Switching Regulator Applications Switching Regulator Applications • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON)= 0.7 Ω(typ.) • High forward transfer admittance: \|Yfs\| = 4.5 S (typ.) • Low leakage current: IDSS= 10 μA (max) (VDS= 650 V) • Enhancement mode: Vth= 2.0 to 4.0 V (VDS= 10 V, ID= 1 mA) 文件：218.06 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

技术参数

Life-cycle：
新产品
Product Category：
SiC Schottky barrier diode
IF(DC) (Max)(A)：
8
VRRM (Max)(V)：
650
VFM (Max)(V)：
1.6
IRRM (Max)(µA)：
40
Number of pins：
2
Number of Circuits：
1
Internal Connection：
Single
Surface mount package：
N
Package name(Toshiba)：
TO-220F-2L

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市亿联芯电子科技有限公司	TRS8A65F	Toshiba	23+	TO-247	3268	东芝全系列原厂正品现货	询价
北京三盛恒业电子有限公司	TRS8A65F,S1Q	TOSHIBA	21+	N/A	2500	进口原装,优势现货	询价
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更多TRS8A65F供应商更新时间2025-10-4 13:27:00

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