TK8A65D中文资料东芝数据手册PDF规格书
TK8A65D规格书详情
Switching Regulator Applications
• Low drain-source ON-resistance: RDS (ON)= 0.7 Ω(typ.)
• High forward transfer admittance: |Yfs| = 4.5 S (typ.)
• Low leakage current: IDSS= 10 μA (max) (VDS= 650 V)
• Enhancement mode: Vth= 2.0 to 4.0 V (VDS= 10 V, ID= 1 mA)
产品属性
- 型号：
TK8A65D
- 功能描述：
MOSFET N-Ch FET 650V 4.5s IDSS 10 uA 0.7 Ohm
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
2016+ |
TO-220F |
3000 |
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询价 | ||
Toshiba |
22+ |
N/A |
10500 |
公司只有原装正品 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
25+ |
TO-220F |
45000 |
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询价 | ||
TOSHIBA |
1314 |
TO-220F |
10 |
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TOSHIBA(东芝) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
TOSHIBA |
24+ |
TO-220 |
15000 |
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询价 | ||
TOSHIBA(东芝) |
23+ |
TO-220SIS |
2232 |
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
2450+ |
TO220F |
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TOSHIBA/东芝 |
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2510000 |
T0-220F |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
25+ |
TO-220F |
9000 |
全新原装现货,假一赔十 |
询价 |
