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TRS8V65H

Marking:TRS8V65H;Package:DFN8x8;SiC Schottky Barrier Diode

Applications •PowerFactorCorrection •SolarInverters •UninterruptiblePowerSupplies •DC-DCConverters Features (1)Chipdesignof3rdgeneration (2)Lowforwardvoltage:VF=1.2V(typ.) (3)Lowtotalcapacitivecharge:Qc=22nC(typ.) (4)Lowreversecurrent:IR=1.5μA(typ.

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

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Toshiba
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更多TRS8V65H供应商 更新时间2025-7-16 15:08:00