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TPS1100DR.A	文件：275.67 Kbytes Page：15 Pages	Marking：1100；Package：SOIC；SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS LowrDS(on)...0.18WTypatVGS=–10V 3VCompatible RequiresNoExternalVCC TTLandCMOSCompatibleInputs VGS(th)=–1.5VMax AvailableinUltrathinTSSOPPackage(PW) ESDProtectionUpto2kVPer MIL-STD-883C,Method3015 description TheTPS1100isasingleP-channel enhanc	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
TPS1100DR.B	文件：275.67 Kbytes Page：15 Pages	Marking：1100；Package：SOIC；SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS LowrDS(on)...0.18WTypatVGS=–10V 3VCompatible RequiresNoExternalVCC TTLandCMOSCompatibleInputs VGS(th)=–1.5VMax AvailableinUltrathinTSSOPPackage(PW) ESDProtectionUpto2kVPer MIL-STD-883C,Method3015 description TheTPS1100isasingleP-channel enhanc	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
TPS1100DG4	文件：700.48 Kbytes Page：14 Pages	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
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TPS1100DRG4	文件：878.19 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel 12-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
TPS1100D
功能描述：
MOSFET MOSFET 10ns RT
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市昊创电子有限公司	TPS1100D	TI	2021+	SOP8	9450	原装现货。	询价
深圳市坤融电子科技有限公司	TPS1100D	TI/德州仪器	24+	SOP8	35	只做原厂渠道可追溯货源	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	TPS1100D	TI(德州仪器)	2022+原装正品	SOIC-8	18000	支持工厂BOM表配单公司只做原装正品货	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	TPS1100D	TI(德州仪器)	24+	SOP-8	7845	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
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深圳市昌和盛利电子有限公司	TPS1100D	TI/TEXAS	23+	原厂封装	8931		询价
深圳市一线半导体有限公司	TPS1100D	TI	24+		2250		询价
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更多TPS1100D供应商更新时间2025-7-16 11:20:00

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