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TPS1100D	文件：275.67 Kbytes Page：15 Pages	丝印：1100；Package：SOIC；SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV Per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1100 is a single P-channel enhanc 文件：275.67 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1100D	文件：155.28 Kbytes Page：10 Pages	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：155.28 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1100D	文件：700.48 Kbytes Page：14 Pages	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：700.48 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1100D.A	文件：275.67 Kbytes Page：15 Pages	丝印：1100；Package：SOIC；SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV Per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1100 is a single P-channel enhanc 文件：275.67 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1100DR	文件：275.67 Kbytes Page：15 Pages	丝印：1100；Package：SOIC；SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV Per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1100 is a single P-channel enhanc 文件：275.67 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1100DR.A	文件：275.67 Kbytes Page：15 Pages	丝印：1100；Package：SOIC；SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV Per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1100 is a single P-channel enhanc 文件：275.67 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1100DR.B	文件：275.67 Kbytes Page：15 Pages	丝印：1100；Package：SOIC；SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV Per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1100 is a single P-channel enhanc 文件：275.67 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1100DG4	文件：700.48 Kbytes Page：14 Pages	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：700.48 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1100DR	文件：700.48 Kbytes Page：14 Pages	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：700.48 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1100DRG4	文件：700.48 Kbytes Page：14 Pages	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：700.48 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI

详细参数

型号：
TPS1100D
功能描述：
MOSFET MOSFET 10ns RT
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市昊创电子有限公司	TPS1100D	TI	2021+	SOP8	9450	原装现货。	询价
深圳市坤融电子科技有限公司	TPS1100D	TI/德州仪器	24+	SOP8	35	只做原厂渠道可追溯货源	询价
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更多TPS1100D供应商更新时间2025-10-8 10:05:00

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