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TPS1100DR	文件：275.67 Kbytes Page：15 Pages	丝印：1100；Package：SOIC；SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV Per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1100 is a single P-channel enhanc 文件：275.67 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1100DR	文件：700.48 Kbytes Page：14 Pages	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：700.48 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1100DR.A	文件：275.67 Kbytes Page：15 Pages	丝印：1100；Package：SOIC；SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV Per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1100 is a single P-channel enhanc 文件：275.67 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1100DR.B	文件：275.67 Kbytes Page：15 Pages	丝印：1100；Package：SOIC；SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV Per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1100 is a single P-channel enhanc 文件：275.67 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1100DRG4	文件：878.19 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel 12-V (D-S) MOSFET 文件：878.19 Kbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
TPS1100DRG4	文件：700.48 Kbytes Page：14 Pages	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：700.48 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI

详细参数

型号：
TPS1100DR
功能描述：
MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多TPS1100DR供应商更新时间2025-10-8 8:01:00

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