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TPS1100DR

Marking:1100;Package:SOIC;SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

LowrDS(on)...0.18WTypatVGS=–10V 3VCompatible RequiresNoExternalVCC TTLandCMOSCompatibleInputs VGS(th)=–1.5VMax AvailableinUltrathinTSSOPPackage(PW) ESDProtectionUpto2kVPer MIL-STD-883C,Method3015 description TheTPS1100isasingleP-channel enhanc

TI2Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TPS1100DR

SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TPS1100DR.A

Marking:1100;Package:SOIC;SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

LowrDS(on)...0.18WTypatVGS=–10V 3VCompatible RequiresNoExternalVCC TTLandCMOSCompatibleInputs VGS(th)=–1.5VMax AvailableinUltrathinTSSOPPackage(PW) ESDProtectionUpto2kVPer MIL-STD-883C,Method3015 description TheTPS1100isasingleP-channel enhanc

TI2Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TPS1100DR.B

Marking:1100;Package:SOIC;SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

LowrDS(on)...0.18WTypatVGS=–10V 3VCompatible RequiresNoExternalVCC TTLandCMOSCompatibleInputs VGS(th)=–1.5VMax AvailableinUltrathinTSSOPPackage(PW) ESDProtectionUpto2kVPer MIL-STD-883C,Method3015 description TheTPS1100isasingleP-channel enhanc

TI2Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TPS1100DRG4

P-Channel 12-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

TPS1100DRG4

SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

详细参数

  • 型号:

    TPS1100DR

  • 功能描述:

    MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多TPS1100DR供应商 更新时间2025-7-15 15:00:00