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NTR4101PT1G	文件：219.5 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET–Power,SingleP-Channel,Trench,SOT-23-20V Features •Leading−20VTrenchforLowRDS(on) •−1.8VRatedforLowVoltageGateDrive •SOT−23SurfaceMountforSmallFootprint •NTRVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevices	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTR4101PT1G	文件：465.22 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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NTRV4101PT1G	文件：81.47 Kbytes Page：5 Pages	TrenchPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTS4101PT1	文件：128.449 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFET-20V,-1.37A,SingleP-Channel,SC-70	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTS4101PT1	文件：106.64 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTS4101PT1G	文件：1.01707 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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