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TPS2812D

DUAL HIGH-SPEED MOSFET DRIVERS

TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TPS2812D

DUAL HIGH-SPEED MOSFET DRIBERS

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TPS2812D

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:管件 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

TI2Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TPS2812DG4

DUAL HIGH-SPEED MOSFET DRIBERS

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TPS2812DR

DUAL HIGH-SPEED MOSFET DRIBERS

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TPS2812DRG4

DUAL HIGH-SPEED MOSFET DRIBERS

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TPS2812DR

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

TI2Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TPS2812DRG4

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

TI2Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

产品属性

  • 产品编号:

    TPS2812D

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    低端

  • 通道类型:

    同步

  • 栅极类型:

    N 沟道,P 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    4V ~ 14V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    1V,4V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    2A,2A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    14ns,15ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

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