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TPH2R306NH	文件：395.09 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETs Silicon N-channel MOS Applications •DC-DCConverters •SwitchingVoltageRegulators •MotorDrivers Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=26nC(typ.) (3)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=1.9mΩ(typ.)(VGS=10V) (4)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=60V) (5)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPH2R306NH1	文件：507.91 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon N-channel MOS Applications •High-EfficiencyDC-DCConverters •SwitchingVoltageRegulators •MotorDrivers Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=26nC(typ.) (3)Smalloutputcharge:Qoss=91nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=1.9mΩ(typ.)(VGS=10V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPH2R306PL1	文件：675.84 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N-channel MOS (U-MOS-H) 1.Applications •High-EfficiencyDC-DCConverters •SwitchingVoltageRegulators •MotorDrivers 2.Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=19nC(typ.) (3)Smalloutputcharge:Qoss=51nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=1.7mΩ(typ.)(VGS	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
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2R3SS	文件：171.04 Kbytes Page：2 Pages	8AMPS20-200VOLTS35nsecHYPERFASTRECTIFIER	SSDI SSDI	SSDI
2R3STX	文件：171.04 Kbytes Page：2 Pages	8AMPS20-200VOLTS35nsecHYPERFASTRECTIFIER	SSDI SSDI	SSDI
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更多TPH2R3供应商更新时间2024-6-22 14:00:00

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