采用 TO-220 封装的 650V 72mΩ 氮化镓GaN FET

The TPH3212PS 650V, 72mΩ Gallium Nitride (GaN) FET is a normally-off device. It combines state-of-the-art high voltage GaN HEMT and low voltage silicon MOSFET technologies—offering superior reliability and performance.\r\n\r\n Transphorm GaN offers improved efficiency over silicon, through lower • 易于驱动 – 与标准栅极驱动器兼容\n• 低传导、低开关损耗\n• 低 Qrr (90nC) – 无需任何续流二极管\n• GSD 引脚布局可提升高速设计\n• 通过 JEDEC 认证的 氮化镓GaN技术\n• 符合限制有害物质指令 (RoHS) 规范要求且不含卤素\n• 实现更高效的拓扑 – 易于实施无桥图腾柱设计\n• 快速切换，提高效率\n• 提高功率密度\n• 系统尺寸减小、重量减轻\n• BOM 成本更低;

Transphorm

650V GaN FET in TO-220

文件：1.86205 Mbytes 页数：13 Pages

TRANSPHORM

TRQ SERIES - PFC CHOKES

文件：146.9 Kbytes 页数：1 Pages

FRONTIER

Dual bidirectional I2C-bus and SMBus voltage-level translator

文件：397.45 Kbytes 页数：11 Pages

UNIONSEMI

英联

Dual bidirectional I2C-bus and SMBus voltage-level translator

文件：397.45 Kbytes 页数：11 Pages

UNIONSEMI

英联