TPH3212PS中文资料采用 TO-220 封装的 650V 72mΩ 氮化镓GaN FET数据手册Transphorm规格书
TPH3212PS规格书详情
描述 Description
The TPH3212PS 650V, 72mΩ Gallium Nitride (GaN) FET is a normally-off device. It combines state-of-the-art high voltage GaN HEMT and low voltage silicon MOSFET technologies—offering superior reliability and performance.
Transphorm GaN offers improved efficiency over silicon, through lower gate charge, lower crossover loss, and smaller reverse recovery charge.\r
特性 Features
• 易于驱动 – 与标准栅极驱动器兼容
• 低传导、低开关损耗
• 低 Qrr (90nC) – 无需任何续流二极管
• GSD 引脚布局可提升高速设计
• 通过 JEDEC 认证的 氮化镓GaN技术
• 符合限制有害物质指令 (RoHS) 规范要求且不含卤素
• 实现更高效的拓扑 – 易于实施无桥图腾柱设计
• 快速切换,提高效率
• 提高功率密度
• 系统尺寸减小、重量减轻
• BOM 成本更低
应用 Application
• Datacom
• Broad industrial
• PV inverter
• Servo motor
技术参数
- 制造商编号
:TPH3212PS
- 生产厂家
:Transphorm
- Rds(on)eff (mΩ) typ
:72
- Rds(on)eff (mΩ) max
:85
- Id (25°C) (A) max
:27
- Package
:TO-220
- Package Variation
:Source
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
3270 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
SOP-8 |
9000 |
全新原装现货,假一赔十 |
询价 | ||
Transphorm |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
25+ |
SOP-8 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
2450+ |
SOP8 |
6885 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
TOSHIBA(东芝) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
新年份 |
DFN5*6 |
23256 |
原装正品现货,实单带TP来谈! |
询价 | ||
TOSHIBA(东芝) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
QFN8 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
2447 |
DFN8 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 |