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TPH3212PS中文资料采用 TO-220 封装的 650V 72mΩ 氮化镓GaN FET数据手册Transphorm规格书

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厂商型号

TPH3212PS

功能描述

采用 TO-220 封装的 650V 72mΩ 氮化镓GaN FET

制造商

Transphorm Transphorm Inc

数据手册

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更新时间

2025-9-22 23:01:00

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TPH3212PS规格书详情

描述 Description

The TPH3212PS 650V, 72mΩ Gallium Nitride (GaN) FET is a normally-off device. It combines state-of-the-art high voltage GaN HEMT and low voltage silicon MOSFET technologies—offering superior reliability and performance.

Transphorm GaN offers improved efficiency over silicon, through lower gate charge, lower crossover loss, and smaller reverse recovery charge.\r

特性 Features

• 易于驱动 – 与标准栅极驱动器兼容
• 低传导、低开关损耗
• 低 Qrr (90nC) – 无需任何续流二极管
• GSD 引脚布局可提升高速设计
• 通过 JEDEC 认证的 氮化镓GaN技术
• 符合限制有害物质指令 (RoHS) 规范要求且不含卤素
• 实现更高效的拓扑 – 易于实施无桥图腾柱设计
• 快速切换,提高效率
• 提高功率密度
• 系统尺寸减小、重量减轻
• BOM 成本更低

应用 Application

• Datacom
• Broad industrial
• PV inverter
• Servo motor

技术参数

  • 制造商编号

    :TPH3212PS

  • 生产厂家

    :Transphorm

  • Rds(on)eff (mΩ) typ

    :72

  • Rds(on)eff (mΩ) max

    :85

  • Id (25°C) (A) max

    :27

  • Package

    :TO-220

  • Package Variation

    :Source

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
24+
NA/
3270
原装现货,当天可交货,原型号开票
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TOSHIBA/东芝
23+
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TOSHIBA/东芝
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