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TPH4R10ANL	文件：614.54 Kbytes Page：9 Pages	Marking：TPH4R10ANL；Package：SOP；MOSFETs Silicon N-channel MOS Applications •High-EfficiencyDC-DCConverters •SwitchingVoltageRegulators •MotorDrivers Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=21nC(typ.) (3)Smalloutputcharge:Qoss=74nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=3.3mΩ(typ.)(VGS=10V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
XPH4R10ANB	文件：545.72 Kbytes Page：10 Pages	SiliconN-channelMOS(U-MOS-H) 1.Applications •Automotive •MotorDrivers •SwitchingVoltageRegulators 2.Features (1)AEC-Q101qualified (2)Small,thinpackage (3)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=3.4mΩ(typ.)(VGS=10V) (4)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=100V) (5)Enhancementmode:	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
XPW4R10ANB	文件：635.07 Kbytes Page：12 Pages	SiliconN-channelMOS(U-MOS-H) 1.Applications •Automotive •MotorDrivers •SwitchingVoltageRegulators 2.Features (1)AEC-Q101qualified (2)Small,thinpackage (3)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=3.4mΩ(typ.)(VGS=10V) (4)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=100V) (5)Enhancementmode:	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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TPH4R10ANL

文件：614.54 Kbytes

Page：9 Pages

Marking：TPH4R10ANL；Package：SOP；MOSFETs Silicon N-channel MOS

Applications •High-EfficiencyDC-DCConverters •SwitchingVoltageRegulators •MotorDrivers Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=21nC(typ.) (3)Smalloutputcharge:Qoss=74nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=3.3mΩ(typ.)(VGS=10V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

XPH4R10ANB

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SiliconN-channelMOS(U-MOS-H)

1.Applications •Automotive •MotorDrivers •SwitchingVoltageRegulators 2.Features (1)AEC-Q101qualified (2)Small,thinpackage (3)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=3.4mΩ(typ.)(VGS=10V) (4)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=100V) (5)Enhancementmode:

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

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SiliconN-channelMOS(U-MOS-H)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

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