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TPH2900ENH	文件：262.93 Kbytes Page：9 Pages	Marking：TPH2900ENH；Package：SOP；MOSFETs Silicon N-channel MOS Applications •High-EfficiencyDC-DCConverters •SwitchingVoltageRegulators Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=8.2nC(typ.) (3)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=24mΩ(typ.)(VGS=10V) (4)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=200V) (5	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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Marking：TPH2900ENH；Package：SOP；MOSFETs Silicon N-channel MOS

Applications •High-EfficiencyDC-DCConverters •SwitchingVoltageRegulators Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=8.2nC(typ.) (3)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=24mΩ(typ.)(VGS=10V) (4)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=200V) (5

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

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