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TPH7R506NH	文件：228.8 Kbytes Page：9 Pages	Marking：TPH7R506NH；Package：SOP；MOSFETs Silicon N-channel MOS Applications •SwitchingVoltageRegulators •MotorDrivers •DC-DCConverters Features (1)Smallfootprintduetoasmallandthinpackage (2)High-speedswitching (3)Smallgatecharge:QSW=14nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=6.1mΩ(typ.)(VGS=10V) (5)Low	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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TPH7R506NH

文件：228.8 Kbytes

Page：9 Pages

Marking：TPH7R506NH；Package：SOP；MOSFETs Silicon N-channel MOS

Applications •SwitchingVoltageRegulators •MotorDrivers •DC-DCConverters Features (1)Smallfootprintduetoasmallandthinpackage (2)High-speedswitching (3)Smallgatecharge:QSW=14nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=6.1mΩ(typ.)(VGS=10V) (5)Low

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

详细参数

型号：
TPH7R506NH
功能描述：
MOSFET N-Ch 60V FET 22A 45W 1785pF 31nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多TPH7R506NH供应商更新时间2025-6-24 17:48:00

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