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TPH7R506NH中文资料东芝数据手册PDF规格书

TPH7R506NH
厂商型号

TPH7R506NH

功能描述

MOSFETs Silicon N-channel MOS

丝印标识

TPH7R506NH

封装外壳

SOP

文件大小

228.8 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-24 22:59:00

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TPH7R506NH规格书详情

Applications

• Switching Voltage Regulators

• Motor Drivers

• DC-DC Converters

Features

(1) Small footprint due to a small and thin package

(2) High-speed switching

(3) Small gate charge: QSW = 14 nC (typ.)

(4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 6.1 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

(5) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 60 V)

(6) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.3 mA)

产品属性

  • 型号:

    TPH7R506NH

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 60V FET 22A 45W 1785pF 31nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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