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TPH6R30ANL中文资料东芝数据手册PDF规格书

TPH6R30ANL
厂商型号

TPH6R30ANL

功能描述

MOSFETs Silicon N-channel MOS

丝印标识

TPH6R30ANL

封装外壳

SOP

文件大小

604.48 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-26 16:19:00

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TPH6R30ANL规格书详情

Applications

• High-Efficiency DC-DC Converters

• Switching Voltage Regulators

• Motor Drivers

Features

(1) High-speed switching

(2) Small gate charge : QSW = 14 nC (typ.)

(3) Small output charge : Qoss = 46 nC (typ.)

(4) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 5.1 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

(5) Low leakage current : IDSS = 10 μA (max) (VDS = 100 V)

(6) Enhancement mode : Vth = 1.5 to 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA(东芝)
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