TPH6R008QM中文资料东芝数据手册PDF规格书

厂商型号	TPH6R008QM
功能描述	MOSFETs Silicon N-channel MOS
丝印标识	TPH6R008QM
封装外壳	SOP
文件大小	969.18 Kbytes
页面数量	9 页
生产厂商	TOSHIBA
中文名称	东芝
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更新时间	2025-12-1 17:24:00
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Applications

• High-Efficiency DC-DC Converters

• Switching Voltage Regulators

• Motor Drivers

特性 Features

(1) High-speed switching

(2) Small gate charge: QSW = 12 nC (typ.)

(3) Small output charge: Qoss = 40 nC (typ.)

(4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 4.7 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

(5) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 80 V)

(6) Enhancement mode: Vth = 2.5 to 3.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.4 mA)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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