TPHR9003NC芯片代码丝印对应型号-114ic电子网

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TPHR9003NC	文件：255.72 Kbytes Page：9 Pages	丝印：TPHR9003NC；Package：SOP；MOSFETs Silicon N-channel MOS Applications • ORing Circuits • Power Management Switches Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.1 mΩ (typ.) (VGS = 4.5 V) (2) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 30 V) (3) Enhancement mode: Vth = 1.3 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA) 文件：255.72 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TPHR9003NC供应商更新时间2025-8-13 18:30:00