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TPHR9003NC
厂商型号

TPHR9003NC

功能描述

MOSFETs Silicon N-channel MOS

丝印标识

TPHR9003NC

封装外壳

SOP

文件大小

255.72 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-26 11:42:00

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TPHR9003NC规格书详情

Applications

• ORing Circuits

• Power Management Switches

Features

(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.1 mΩ (typ.) (VGS = 4.5 V)

(2) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 30 V)

(3) Enhancement mode: Vth = 1.3 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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