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DMN26D0UFB4	文件：127.9 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Description ThisnewgenerationMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))yetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhigh-efficiencypowermanagementapplications. FeaturesandBenefits •N-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •VeryLowGateThresho	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

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Description ThisnewgenerationMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))yetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhigh-efficiencypowermanagementapplications. FeaturesandBenefits •N-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •VeryLowGateThresho

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