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HXT8201-EVB	文件：133.69 Kbytes Page：2 Pages	28G??1ChannelVCSELDriver	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
ICL8201	文件：1.62822 Mbytes Page：40 Pages	AC/DCBuckControllerwithPFCforLEDLamps	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IRFH8201PBF	文件：500.01 Kbytes Page：9 Pages	CompatiblewithExistingSurfaceMountTechniques	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFH8201PBF	文件：560.56 Kbytes Page：10 Pages	OR-ingMOSFETfor12V(typical)Busin-RushCurrent	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IRFH8201PBF	文件：488.14 Kbytes Page：8 Pages	OR-ingMOSFETfor12V(typical)Busin-RushCurrent	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
TPCP8201	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPCP8201	文件：250.04 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSIII)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPCP8201	文件：248.63 Kbytes Page：7 Pages	PortableEquipmentApplications PortableEquipmentApplications MotorDriveApplications DC-DCConverterApplications •Lead(Pb)-Free •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=38mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=7.0S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(VDS=30V) •Enhancementmode:Vth=	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPCS8201	文件：314.31 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOS) LithiumIonBatteryApplications PortableEquipmentApplications NotebookPCs Smallfootprintduetosmallandthinpackage Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=22mΩ(typ.) Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=13S(typ.) Lowleakagecurrent:IDSS=10µA(max)(VDS=20V) Enha	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
VSC8201	文件：487.57 Kbytes Page：21 Pages	SinglePort10/100/1000BASE-Tand1000BASE-XPHY Introduction ThispurposeofthisapplicationnoteinconjunctionwiththeVSC8201DatasheetistoprovideinformationtoassistinthedesignandlayoutoftheVSC8201GigabitEthernetTransceiver. PowerSupplyOrganizationandDecoupling TheVSC8201requiresa3.3vanda1.5vpowersu	VITESSE VITESSE	VITESSE
VSC8201	文件：253.78 Kbytes Page：12 Pages	LANDISCRETETRANSFORMERMODULES LANFILTEREDCONNECTORS LANGIGABITICCROSSREFERENCE LAN10/100BASE-TXICCROSSREFERENCE LAN10BASE-TICCROSSREFERENCE	pulse Pulse Electronics	pulse
VSC8201DL	文件：487.57 Kbytes Page：21 Pages	SinglePort10/100/1000BASE-Tand1000BASE-XPHY Introduction ThispurposeofthisapplicationnoteinconjunctionwiththeVSC8201DatasheetistoprovideinformationtoassistinthedesignandlayoutoftheVSC8201GigabitEthernetTransceiver. PowerSupplyOrganizationandDecoupling TheVSC8201requiresa3.3vanda1.5vpowersu	VITESSE VITESSE	VITESSE

详细参数

型号：
TPCF8201
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type(U-MOS III)

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