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EL8103	文件：752.22 Kbytes Page：14 Pages	500MHzRail-to-RailAmplifiers TheEL8102,EL8103representsinglerail-to-railamplifierswitha-3dBbandwidthof500MHzandslewrateof600V/µs.Runningoffaverylow5.6mAsupplycurrent,theEL8102,EL8103alsofeatureinputsthatgoto0.15VbelowtheVS-rail. Features •500MHz-3dBbandwidth •600V/µsslewrate •L	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
EL8103	文件：377.45 Kbytes Page：12 Pages	500MHzRail-to-RailAmplifiers	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
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EL8103	文件：221.77 Kbytes Page：12 Pages	500MHzRail-to-RailAmplifiers TheEL8102,EL8103representsinglerail-to-railamplifierswitha-3dBbandwidthof500MHzandslewrateof600V/µs.Runningoffaverylow5.6mAsupplycurrent,theEL8102,EL8103alsofeatureinputsthatgoto0.15VbelowtheVS-rail. Features •500MHz-3dBbandwidth •600V/µsslewrate •L	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FP8103	文件：664.88 Kbytes Page：19 Pages	1ALinearLi-IonBatteryChargerinSOP8	FEELINGFEELING 遠翔科技遠翔科技股份有限公司	FEELING
HLMP-8103	文件：164.76 Kbytes Page：5 Pages	T-13/4(5mm)HighPerformanceTSAlGaAsRedLEDLamps Description TheseT-13/4,untinted,nondiffusedlampsutilizeahighlyoptimizedLEDmaterialtechnology,transparentsubstratealuminumgalliumarsenide(TSAlGaAs).ThisLEDtechnologyhasaveryhighluminousefficiency,capableofproducinghighlightoutputoverawiderangeofdrivecurrent	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
IRLR8103	文件：42.65 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelApplication-SpecificMOSFETs	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLR8103V	文件：151.22 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelApplication-SpecificMOSFETs	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLR8103V	文件：250.71 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLR8103V	文件：783.54 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelApplication-SpecificMOSFETs	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRLR8103VPBF	文件：214.76 Kbytes Page：9 Pages	SimpleDriveRequirements	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLR8103VPBF	文件：205.8 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelApplication-SpecificMOSFETs	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLR8103VTRPBF	文件：1.10882 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ISL8103	文件：770.15 Kbytes Page：27 Pages	Three-PhaseBuckPWMControllerwithHighCurrentIntegratedMOSFETDrivers	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
ISL8103	文件：1.28187 Mbytes Page：28 Pages	Three-PhaseBuckPWMControllerwithHighCurrentIntegratedMOSFETDrivers	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
ISL8103CRZ	文件：770.15 Kbytes Page：27 Pages	Three-PhaseBuckPWMControllerwithHighCurrentIntegratedMOSFETDrivers	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
ISL8103CRZ	文件：1.28187 Mbytes Page：28 Pages	Three-PhaseBuckPWMControllerwithHighCurrentIntegratedMOSFETDrivers	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
ISL8103IRZ	文件：1.28187 Mbytes Page：28 Pages	Three-PhaseBuckPWMControllerwithHighCurrentIntegratedMOSFETDrivers	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
ISL8103IRZ	文件：770.15 Kbytes Page：27 Pages	Three-PhaseBuckPWMControllerwithHighCurrentIntegratedMOSFETDrivers	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
KNX8103A	文件：235.33 Kbytes Page：5 Pages	30A竊?0VN-CHANNELMOSFET	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司	KIA

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详细参数

型号：
TPCF8103(TE85L,F)
功能描述：
MOSFET PW TR P-Ch -20V -5.5A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TPCF8103(TE85L,F)供应商更新时间2024-5-3 9:18:00

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