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TP65H300G4JSGB数据手册JPX中文资料规格书

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厂商型号

TP65H300G4JSGB

功能描述

分离式大功率氮化镓功率元件

制造商

JPX Joint Power eXponent

中文名称

强弦 強弦科技股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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TP65H300G4JSGB规格书详情

描述 Description

The TP65H300G4JSGB 650V, 240mΩ Gallium Nitride (GaN) FET is a normally-off device using Transphorm’s Gen IV platform. It combines a state-of-the-art high voltage GaN HEMT with a low voltage silicon MOSFET to offer superior reliability and performance.

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