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TJ11A10M3	文件：239.01 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS?? Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=100mΩ(typ.)(VGS=-10V) (2)Lowleakagecurrent:IDSS=-10µA(max)(VDS=-100V) (3)Enhancementmode:Vth=-2.0to-4.0V(VDS=-10V,ID=-1mA) Applications •SwitchingVoltageRegulators	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TJ11A10M3	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
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TJ11A10M3

文件：239.01 Kbytes

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MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS??

Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=100mΩ(typ.)(VGS=-10V) (2)Lowleakagecurrent:IDSS=-10µA(max)(VDS=-100V) (3)Enhancementmode:Vth=-2.0to-4.0V(VDS=-10V,ID=-1mA) Applications •SwitchingVoltageRegulators

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

TJ11A10M3

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Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

TJ11A10M3

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Page：2 Pages

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=130mΩ(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

详细参数

型号：
TJ11A10M3
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
MOSFETs Silicon P-Channel MOS(U-MOS??±)

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更多TJ11A10M3供应商更新时间2025-7-24 19:10:00

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