TJ11A10M3中文资料东芝数据手册PDF规格书
TJ11A10M3规格书详情
特性 Features
(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 100 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)
(2) Low leakage current: IDSS = -10 µA (max) (VDS = -100 V)
(3) Enhancement mode: Vth = -2.0 to -4.0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)
Applications
• Switching Voltage Regulators
产品属性
- 型号:
TJ11A10M3
- 制造商:
TOSHIBA
- 制造商全称:
Toshiba Semiconductor
- 功能描述:
MOSFETs Silicon P-Channel MOS(U-MOS??±)
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOS |
1822+ |
TO-220SI |
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TI |
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