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TJ11A10M3中文资料东芝数据手册PDF规格书

TJ11A10M3
厂商型号

TJ11A10M3

功能描述

MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS??

文件大小

239.01 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
TOSHIBA
数据手册

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更新时间

2025-8-3 16:59:00

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TJ11A10M3规格书详情

特性 Features

(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 100 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)

(2) Low leakage current: IDSS = -10 µA (max) (VDS = -100 V)

(3) Enhancement mode: Vth = -2.0 to -4.0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)

Applications

• Switching Voltage Regulators

产品属性

  • 型号:

    TJ11A10M3

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全称:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    MOSFETs Silicon P-Channel MOS(U-MOS??±)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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