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UPA811	文件：49.15 Kbytes Page：6 Pages	HIGH-FREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIERNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORWITHBUILT-IN2x2SC4228SMALLMINIMOLD TheµPA811Thasbuilt-in2low-voltagetransistorswhicharedesignedtoamplifylownoiseintheVHFbandtotheUHFband. FEATURES •LowNoise NF=1.9dBTYP.@f=2GHz,VCE=1V,IC=3mA •HighGain \|S21e\|2=6.5dBTYP.@f=2GHz,VCE=1V,IC=3mA •ASmallMiniMold	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA811T	文件：480.88 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL
UPA811T	文件：194.94 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL
UPA811T	文件：49.15 Kbytes Page：6 Pages	HIGH-FREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIERNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORWITHBUILT-IN2x2SC4228SMALLMINIMOLD TheµPA811Thasbuilt-in2low-voltagetransistorswhicharedesignedtoamplifylownoiseintheVHFbandtotheUHFband. FEATURES •LowNoise NF=1.9dBTYP.@f=2GHz,VCE=1V,IC=3mA •HighGain \|S21e\|2=6.5dBTYP.@f=2GHz,VCE=1V,IC=3mA •ASmallMiniMold	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA811T	文件：219.4 Kbytes Page：8 Pages	HIGH-FREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIERNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR TheµPA811Thasbuilt-in2low-voltagetransistorswhicharedesignedtoamplifylownoiseintheVHFbandtotheUHFband. FEATURES •LowNoise NF=1.9dBTYP.@f=2GHz,VCE=1V,IC=3mA •HighGain \|S21e\|2=6.5dBTYP.@f=2GHz,VCE=1V,IC=3mA •ASmallMiniMold	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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