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TIP112_12

NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR

文件:189.65 Kbytes 页数:4 Pages

UTC

友顺

TIP112_15

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

文件:189.65 Kbytes 页数:4 Pages

UTC

友顺

TIP112F

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

文件:450.47 Kbytes 页数:2 Pages

KEC

KEC(Korea Electronics)

TIP112F_07

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

文件:450.47 Kbytes 页数:2 Pages

KEC

KEC(Korea Electronics)

TIP112G

Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors

文件:148.66 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

TIP112G

Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors

文件:99.95 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

TIP112G-T60-K

NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR

文件:189.65 Kbytes 页数:4 Pages

UTC

友顺

TIP112G-T60-K

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

文件:189.65 Kbytes 页数:4 Pages

UTC

友顺

TIP112G-TA3-T

NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR

文件:189.65 Kbytes 页数:4 Pages

UTC

友顺

TIP112G-TA3-T

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

文件:189.65 Kbytes 页数:4 Pages

UTC

友顺

产品属性

  • 产品编号:

    TIP112

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2.5V @ 8mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    2mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 1A,4V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 2A TO220-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ST(意法半导体)
24+
TO-220
942
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
询价
ST/意法
24+
TO-220
2000
全新原装深圳仓库现货有单必成
询价
SAMSUNG/三星
24+
TO-220
5000
只做原厂渠道 可追溯货源
询价
ST/意法
21+19+
TO-220
8279
只做原装正品
询价
ST/意法
25+
TO-220
45000
ST/意法全新现货TIP112即刻询购立享优惠#长期有排单订
询价
SMG
06+
原厂原装
13451
只做全新原装真实现货供应
询价
STM
24+/25+
TO-220AB
400
原装正品现货库存价优
询价
24+
TO-220
10000
全新
询价
ST/进口原
17+
TO-220
6200
询价
ON
11+
TO-220
8000
全新原装,绝对正品现货供应
询价
更多TIP112供应商 更新时间2025-10-4 23:00:00