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TIP112F	文件：41.37 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.) MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE. FEATURES • High DC Current Gain. : hFE=1000(Min.), VCE=4V, IC=1A. • Low Collector-Emitter Saturation Voltage. • Complementary to TIP117F. 文件：41.37 Kbytes 页数：2 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
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型号：
TIP112F
制造商：
KEC
制造商全称：
KEC(Korea Electronics)
功能描述：
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR(MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)

更多TIP112F供应商更新时间2025-10-4 15:14:00