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TIP112F
厂商型号

TIP112F

功能描述

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)

文件大小

41.37 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 KEC CORPORATION
企业简称

KEC

中文名称

KEC株式会社官网

原厂标识
KEC
数据手册

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更新时间

2025-8-3 11:10:00

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TIP112F规格书详情

MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN

BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.

FEATURES

• High DC Current Gain.

: hFE=1000(Min.), VCE=4V, IC=1A.

• Low Collector-Emitter Saturation Voltage.

• Complementary to TIP117F.

产品属性

  • 型号:

    TIP112F

  • 制造商:

    KEC

  • 制造商全称:

    KEC(Korea Electronics)

  • 功能描述:

    EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR(MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
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