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TIP112分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

TIP112
厂商型号

TIP112

参数属性

TIP112 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 100V 2A TO220-3

功能描述

DARLINGTON TRANSISTOR (NPN)

封装外壳

TO-220-3

文件大小

286.69 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
企业简称

JIANGSU长电科技

中文名称

江苏长电科技股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-9 22:30:00

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晶体管资料

  • 型号:

    TIP112

  • 别名:

    TIP112三极管、TIP112晶体管、TIP112晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    100V

  • 最大电流允许值:

    4A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD265B,BD701,BDW23C,BDW53C,BDW63C,

  • 最大耗散功率:

    50W

  • 放大倍数:

    β>1000

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    4

  • wtest:

    50

TIP112规格书详情

TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES

● High DC Current Gain : hFE=1000 @ VCE=4V, IC=1A(Min.)

● Low Collector-Emitter Saturation Voltage

● Industrial Use

产品属性

  • 产品编号:

    TIP112

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2.5V @ 8mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    2mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 1A,4V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 2A TO220-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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