TIP112分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

厂商型号	TIP112
参数属性	TIP112 封装/外壳为TO-220-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 100V 2A TO220-3
功能描述	Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors TRANS NPN DARL 100V 2A TO220-3
封装外壳	TO-220-3
文件大小	269.51 Kbytes
页面数量	6 页
生产厂商	ON Semiconductor
企业简称	ONSEMI【安森美半导体】
中文名称	安森美半导体公司官网
原厂标识
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-5-11 17:10:00
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TIP112规格书详情

TIP112属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由安森美半导体公司制造生产的TIP112晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors

Designed for general−purpose amplifier and low−speed switching applications.

Features

• High DC Current Gain −

hFE = 2500 (Typ) @ IC

= 1.0 Adc

• Collector−Emitter Sustaining Voltage − @ 30 mAdc

VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) − TIP110, TIP115

= 80 Vdc (Min) − TIP111, TIP116

= 100 Vdc (Min) − TIP112, TIP117

• Low Collector−Emitter Saturation Voltage −

VCE(sat) = 2.5 Vdc (Max) @ IC

= 2.0 Adc

• Monolithic Construction with Built−in Base−Emitter Shunt Resistors

• Pb−Free Packages are Available*

产品属性

产品编号：
TIP112
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 8mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
2mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 1A，4V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220-3
描述：
TRANS NPN DARL 100V 2A TO220-3

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