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TIOL112YAHR	文件：2.42645 Mbytes Page：38 Pages	TIOL112andTIOL112xIO-LinkDeviceTransceiverswithLowResidualVoltageandIntegratedSurgeProtectioninSmallPackages 1Features •7-Vto36-Vsupplyvoltage •PNP,NPNorIO-Linkconfigurableoutput –IEC61131-9COM1,COM2andCOM3Data RateSupport •Functionalsafety-capable –Documentationavailabletoaidinfunctional safetysystemdesign •Pin-compatiblewithTIOL111(x)withimproved performance	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TIP112	文件：74.82 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(MONOLITHICCONSTRUCTIONWITHBUILTINBASE-EMITTERSHUNTRESISTORSINDUSTRIALUSE.) MONOLITHICCONSTRUCTIONWITHBUILTIN BASE-EMITTERSHUNTRESISTORSINDUSTRIALUSE. FEATURES •HighDCCurrentGain. :hFE=1000(Min.),ᷤVCE=4V,IC=1A. •LowCollector-EmitterSaturationVoltage. •ComplementarytoTIP117.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
TIP112	文件：49.25 Kbytes Page：4 Pages	MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors •ComplementarytoTIP115/116/117 •HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,IC=1A(Min.) •LowCollector-EmitterSaturationVoltage •IndustrialUse	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
TIP112	文件：153.15 Kbytes Page：3 Pages	PLASTICMEDIUM-POWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS	bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半导体公司	boca
TIP112	文件：269.51 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTON2AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
TIP112	文件：146.97 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTORS(2.0A,60-100V,50W)	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
TIP112	文件：101.68 Kbytes Page：6 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONS NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewith TIP115,TIP116andTIP117 ●50Wat25°CCaseTemperature ●4AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof500at4V,2A	POINN Power Innovations Ltd	POINN
TIP112	文件：72.23 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS DESCRIPTION TheTIP110andTIP112aresiliconEpitaxial-BaseNPNtransistorsinmonolithicDarlingtonconfigurationmountedinJedecTO-220plasticpackage.Theyareintentedforuseinmediumpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypesareTIP115andTIP117. ■STMicroe	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TIP112	文件：269.51 Kbytes Page：6 Pages	PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors Designedforgeneral−purposeamplifierandlow−speedswitchingapplications. Features •HighDCCurrentGain− hFE=2500(Typ)@IC =1.0Adc •Collector−EmitterSustainingVoltage−@30mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TIP112	文件：195.99 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNDARLINGTONTRANSISTOR Description Designedforuseingeneralpurposeamplifierandlow-speedswitchingapplications.	DCCOM Dc Components	DCCOM

详细参数

型号：
TIL112
制造商：
Texas Instruments

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TIL112供应商更新时间2025-5-7 17:05:00

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