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TIP112分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号	TIP112
参数属性	TIP112 封装/外壳为TO-220-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 100V 2A TO220-3
功能描述	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)
封装外壳	TO-220-3
文件大小	74.82 Kbytes
页面数量	2 页
生产厂商	KEC KEC(Korea Electronics)
网址	网址
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-11-27 14:09:00
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TIP112规格书详情

MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN

BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.

FEATURES

• High DC Current Gain.

: hFE=1000(Min.), ᷤVCE=4V, IC=1A.

• Low Collector-Emitter Saturation Voltage.

• Complementary to TIP117.

产品属性

产品编号：
TIP112
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 8mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
2mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 1A，4V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220-3
描述：
TRANS NPN DARL 100V 2A TO220-3

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