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TIL117S(TB)-V	文件：901.11 Kbytes Page：13 Pages	6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR	EverlightEverlight Electronics Co., Ltd 台湾亿光亿光电子工业股份有限公司	Everlight
TIL117X	文件：53.06 Kbytes Page：3 Pages	OPTICALLYCOUPLEDISOLATORHOTOTRANSISTOROUTPUT DESCRIPTION TheTIL111,TIL114,TIL116,TIL117seriesofopticallycoupledisolatorsconsistofinfraredlightemittingdiodeandNPNsiliconphototransistorinastandard6pindualinlineplasticpackage. FEATURES lOptions:- 10mmleadspread-addGafterpartno. Surfac	ISOCOMISOCOM COMPONENTS 英国安数光	ISOCOM
TIP117	文件：195.98 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFPNPDARLINGTONTRANSISTOR Description Designedforuseingeneralpurposeamplifierandlow-speedswitchingapplications. Pinning 1=Base 2=Collector 3=Emitter	DCCOM Dc Components	DCCOM
TIP117	文件：157.53 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPNPDarlingtonPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-220Cpackage •DARLINGTON •HighDCcurrentgain •Lowcollectorsaturationvoltage •ComplementtotypeTIP110/111/112 APPLICATIONS •Forindustrialuse	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TIP117	文件：194.97 Kbytes Page：4 Pages	DarlingtonPowerTransistors(PNP) Features •Designedforgeneral-purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications •RoHSCompliant	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
TIP117	文件：153.15 Kbytes Page：3 Pages	PLASTICMEDIUM-POWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS	bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半导体公司	boca
TIP117	文件：50 Kbytes Page：4 Pages	MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors •HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-1A(Min.) •LowCollector-EmitterSaturationVoltage •IndustrialUse •ComplementarytoTIP110/111/112	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
TIP117	文件：160.91 Kbytes Page：6 Pages	PNPSILICONPOWERDARLINGTONS PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewith TIP110,TIP111andTIP112 ●50Wat25°CCaseTemperature ●4AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof500at4V,2A	POINN Power Innovations Ltd	POINN
TIP117	文件：269.51 Kbytes Page：6 Pages	PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors Designedforgeneral−purposeamplifierandlow−speedswitchingapplications. Features •HighDCCurrentGain− hFE=2500(Typ)@IC =1.0Adc •Collector−EmitterSustainingVoltage−@30mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TIP117	文件：269.51 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTON2AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola

详细参数

型号：
TIL117S(TB)
功能描述：
晶体管输出光电耦合器 Optocouplers
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
输入类型：
DC
最大集电极/发射极电压：
70 V
最大集电极/发射极饱和电压：
0.4 V
绝缘电压：
5300 Vrms
电流传递比：
100 % to 200 %
最大正向二极管电压：
1.65 V
最大输入二极管电流：
60 mA
最大集电极电流：
100 mA
最大功率耗散：
100 mW
最大工作温度：
+ 110 C
最小工作温度：
- 55 C
封装/箱体：
DIP-4
封装：
Bulk

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