TGF2935数据手册Qorvo中文资料规格书
TGF2935规格书详情
描述 Description
The Qorvo TGF2935 is a 5 W (P3dB) discrete GaN on SiC HEMT which operates from DC to 25 GHz and 28 V supply. The device is constructed with Qorvo's proven QGaN15 process. The device can support pulsed, CW, and linear operations.
Lead-free and ROHS compliant.
特性 Features
• Frequency Range: DC - 25 GHz
• Output Power (P3dB): 4.8 W at 10 GHz
• Linear Gain: 16 dB typical at 10 GHz
• Typical PAE3dB: 60% at 10 GHz
• Typical NF at 10 GHz: 1.3 dB
• Operating voltage: 28V
• CW and Pulse capable
• 0.60 x 0.55 x 0.10 die
应用 Application
• Defense and Aerospace
• Broadband Wireless
技术参数
- 制造商编号
：TGF2935
- 生产厂家
：Qorvo
- 频率最大值(MHz)
：2
- 增益(dB)
：16
- Psat(dBm)
：36.8
- PAE(%)
：60
- VD(V)
：28
- Idq(mA)
：40
- 封装类型
：die
- 封装(mm)
：0.60 x 0.55 x 0.10
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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