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BD647	文件：108.24 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=80V(Min) HighDCCurrentGain:hFE=750(Min)@IC=3A LowSaturationVoltage ComplementtoTypeBD648	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD647	文件：125.42 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNDarlingtonPowerTransistor Eplbasepowerdarlingtontransistors(62.5W) BD643,BD645,BD647,andBD649aremonolithicNPNSiliconepibasepowerdarlingtontransistorswithdiodeandresistorsinaTO220ABplasticpackage(TOP-66).Thecollectorsofthetwotransistorsareelectricallyconnectedtothemetallicmounting	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD647	文件：336.95 Kbytes Page：5 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS PNPepitaxial-basetransistorsinamonolithicDalringtoncircuitandhousedinaTO-220enveloppe.Theyareintendedforoutputstagesinaudioequipment,generalamplifiers,andanalogueswitchingapplication. NPNcomplementsareBD643,BD645,BD647	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD647	文件：116.15 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·ComplementtotypeBD645/647/649/651 ·DARLINGTON APPLICATIONS ·Foruseinoutputstagesinaudioequipment,generalamplifier,andanalogueswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD647	文件：115.8 Kbytes Page：6 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONS PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithBD645,BD647,BD649andBD651 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A	POINNPower Innovations Ltd Power Innovations Ltd	POINN
BD647	文件：125.89 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BD647	文件：127.08 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONDARLINGTONTRANSISTORS NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BD647	文件：105.89 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONS NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●RoHScompliant* ●DesignedforComplementaryUsewithBD646,BD648,BD650andBD652 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
BD647	文件：105.89 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONS	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
BD647F	文件：279.03 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BLF647	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BLF647	文件：127.7 Kbytes Page：16 Pages	UHFpowerLDMOStransistor DESCRIPTION SiliconN-channelenhancementmodelateralD-MOSpush-pulltransistorinaSOT540Apackagewithceramiccap.Thecommonsourceisconnectedtothemountingflange. FEATURES •Highpowergain •Easypowercontrol •Excellentruggedness •SourceonundersideeliminatesDCisolators	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BLF647P	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BLF647P	文件：1.02476 Mbytes Page：14 Pages	BroadbandpowerLDMOStransistor Generaldescription A200WLDMOSRFpowertransistorforbroadcasttransmitterandindustrial applications.ThetransistorissuitableforthefrequencyrangeHFto1500MHz.The excellentruggednessandbroadbandperformanceofthisdevicemakesitidealfordigital applications. Featuresa	AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆安谱隆半导体（合肥）有限公司	Ampleon
BLF647P(S)	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BLF647PS	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BLF647PS	文件：1.02305 Mbytes Page：14 Pages	BroadbandpowerLDMOStransistor Generaldescription A200WLDMOSRFpowertransistorforbroadcasttransmitterandindustrial applications.ThetransistorissuitableforthefrequencyrangeHFto1500MHz.The excellentruggednessandbroadbandperformanceofthisdevicemakesitidealfordigital applications. Featuresa	AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆安谱隆半导体（合肥）有限公司	Ampleon
C647	文件：5.29445 Mbytes Page：66 Pages	AluminumElectrolyticCapacitors	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET
C647	文件：501.68 Kbytes Page：1 Pages	500WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features •SingleOutput •3Ux42TEx166.5mm •Weight:3.5kg	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
CN647	文件：73.86 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONGENERALPURPOSEDIODE	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

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产品属性

产品编号：
TC647EUA
制造商：
Microchip Technology
类别：
集成电路（IC） > 电机驱动器，控制器
系列：
FanSense™
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
电机类型 - AC，DC：
无刷 DC（BLDC）
功能：
控制器 - 速度
输出配置：
前置驱动器 - 低端
接口：
并联
应用：
风扇控制器
电压 - 供电：
3V ~ 5.5V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
供应商器件封装：
8-MSOP
描述：
IC MOTOR DRIVER 3V-5.5V 8MSOP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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